IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品;封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上;
IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點;當前市場上銷售的多為此類模塊化產品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節能環保等理念的推進,此類產品在市場上將越來越多見.
1200 V IGBT,采用反并聯二極管,TO-247 封裝
1200 V,15 A 硬開關 TRENCHSTOP™ 第四代 IGBT,與定續流二極管聯合封裝到 TO-247 封裝中,結合溝槽柵和場終止概念,顯著改善器件靜態及動態性能。IGBT 與軟恢復發射極控制二極管相結合,進一步降低接通損耗。在開關和傳導損耗之間做出優化,實現高效率。
特征描述
• 低 VCEsat 壓隆,降低傳導損耗
• 低開關損耗
• VCEsat 具備正溫度系數,實現輕松并聯開關能力
• 極軟、快速恢復防并聯發射極控制二極管
• 高穩健性和溫度穩定性
• 低 EMI 排放
• 低柵極電荷
• 參數分布非常緊湊
優勢
• 高效率 – 低傳導和開關損耗
• 豐富的 600 V 和 1200 V 產品組合,支持靈活設計
• 器件高可靠性
應用領域
• 不間斷電源(UPS)
• 電機控制和驅動
• 太陽能系統解決方案
品牌: | INFINEON |
型號: | IKW15N120T2 |
制造商: | Infineon |
產品種類: | IGBT 晶體管 |
RoHS: | 是 |
封裝 : | TO-247 |
安裝風格: | Through Hole |
配置: | Single |
集電極—發射極電壓 VCEO: | 1200 V |
集電極—射極飽和電壓: | 2.2 V |
柵極/發射極電壓: | 20 V |
在25 C的連續集電極電流: | 30 A |
Pd-功率耗散: | 235 W |
工作溫度: | - 40 C + 175 C |
系列: | Trenchstop IGBT3 |
集電極連續電流 Ic: | 30 A |
柵極—射極漏泄電流: | 600 nA |