國產半導體參數分析儀

普賽斯國產半導體參數分析儀特點和優勢：

單臺Z大3000V輸出；

單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大4000A；

10us的超快電流上升沿；

同步測量；

國標全指標的自動化測試；

產品參數      

可測項目

集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces

集電極-發射極飽和電壓Vce   sat

集電極電流Ic，集電極截止電流Ices

柵極漏電流Iges，柵極-發射極閾值電壓Vge(th)

柵極電阻Rg

電容測量

I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

普賽斯國產功率器件分析儀集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態參數測試系統采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。