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和 GTO及IGCT相比，IGBT 傳導損失相對較高，關斷損失則較低．
因此，優化的IGBT開關頻率與相同額定的GTO和IGCT相比而言是很高
的。
無保護網（“緩沖器”）也可使用IGBT, 因而可以使極為簡單的系
統拓撲學化。這種簡化會導致這樣一個結果：大部分的系統損失會在硅
中消散因此通過熱約束減少zui大開關功率。
所有IGBT*的特性是它有能承受短路（高電流和高電壓在裝置中
同時交叉)的能力。短路時，能通過IGBT到達裝置設計的水平的電流時有
限的。僅有門控制又不對裝置造成*性損傷在10微秒內安全的關閉短
路是不可能的。
IGBT 由1 cm2的半導體芯片構成。與之相匹配的二極管一同，IGCT
被做成不同的模塊，電和機械的裝置以及各種電額定。
北京華瑞賽晶電子科技有限公司,是一家集科、工、貿、生產于一體的*.我
們一直秉承”品質無憂,共贏未來”的宗旨,以產品品質優、技術力量雄厚、服務周到等優勢,在
中國贏得了廣大市場．
我司技術工程師均在半導體、電力電子行業從業多年,有著豐富的經驗,為您提供強有力
的技術支持!
2001年至今,華瑞賽晶不僅是ABB半導體公司在中國的總代理,也是ABB半導體較大的
代理商.今年,ABB半導體公司代理商中采購額*突破一千萬瑞郎的*代理商....
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IGBT Hipak Modules 普通晶閘管
PCTs 工業用電流傳感器
MP25P1型
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IGBT DIODE DIES 產品信息
關鍵詞：IGBT
