智能制造網APP
智能制造網手機站
智能制造網小程序
智能制造網官微
智能制造網服務號
多功能介電常數測試儀器原理
按照物質電結構的觀點，任何物質都是由不同的電荷構成，而在電介質中存在原子、分子和離子等。當固體電介質置于電場中后會顯示出一定的極性，這個過程稱為極化。對不同的材料、溫度和頻率，各種極化過程的影響不同。
1、介電常數(e)：某一電介質(如硅酸鹽、高分子材料)組成的電容器在一定電壓作用下所得到的電容量Cx與同樣大小的介質為真空的電容器的電容量Co之比值，被稱為該電介質材料的相對介電常數。
式中：Cx —電容器兩極板充滿介質時的電容；
Co —電容器兩極板為真空時的電容；
e —電容量增加的倍數，即相對介電常數
介電常數的大小表示該介質中空間電荷互相作用減弱的程度。作為高頻絕緣材料，e要小，特別是用于高壓絕緣時。在制造高電容器時，則要求e要大，特別是小型電容器。
在絕緣技術中，特別是選擇絕緣材料或介質貯能材料時，都需要考慮電介質的介電常數。此外，由于介電常數取決于極化，而極化又取決于電介質的分子結構和分子運動的形式。所以，通過介電常數隨電場強度、頻率和溫度變化規律的研究，還可以推斷絕緣材料的分子結構。
2．介電損耗(tgd)：指電介質材料在外電場作用下發熱而損耗的那部分能量。在直流電場作用下，介質沒有周期性損耗，基本上是穩態電流造成的損耗；在交流電場作用下，介質損耗除了穩態電流損耗外，還有各種交流損耗。由于電場的頻繁轉向，電介質中的損耗要比直流電場作用時大許多(有時達到幾千倍)，因此介質損耗通常是指交流損耗。
在工程中，常將介電損耗用介質損耗角正切tgd來表示。tgd是絕緣體的無效消耗的能量對有效輸入的比例，它表示材料在一周期內熱功率損耗與貯存之比，是衡量材料損耗程度的物理量。
tg
式中：ω —電源角頻率；
R —并聯等效交流電阻；
C —并聯等效交流電容器
凡是體積電阻率小的，其介電損耗就大。介質損耗對于用在高壓裝置、高頻設備，特別是用在高壓、高頻等地方的材料和器件具有特別重要的意義，介質損耗過大，不僅降低整機的性能，甚至會造成絕緣材料的熱擊穿。
3、Q值：tgd的倒數稱為品質因素，或稱Q值。Q值大，介電損失小，說明品質好。所以在選用電介質前，必須首先測定它們的e和tgd。而這兩者的測定是分不開的。
通常測量材料介電常數和介質損耗角正切的方法有二種：交流電橋法和Q表測量法，其中Q表測量法在測量時由于操作與計算比較簡便而廣泛采用。本實驗主要采用的是Q表測量法。
4、陶瓷介質損耗角正切及介電常數測試儀：它由穩壓電源、高頻信號發生器、定位電壓表CBl、Q值電壓表CB2、寬頻低阻分壓器以及標準可調電容器等組成(圖2)。工作原理如下：高頻信導發生器的輸出信號，通過低阻抗耦合線圈將信號饋送至寬頻低阻抗分壓器。輸出信號幅度的調節是通過控制振蕩器的簾柵極電壓來實現。當調節定位電壓表CBl指在定位線上時，Ri兩端得到約l0mV的電壓(Vi)。當Vi調節在一定數值(10mV)后，可以使測量Vc的電壓表CB2直接以Q值刻度，即可直接的讀出Q值，而不必計算。另外，電路中采用寬頻低阻分壓器的原因是：如果直接測量Vi必須增加大量電子組件才能測量出高頻低電壓信號，成本較高。若使用寬頻低阻分壓器后則可用普通電壓表達到同樣的目的。
圖1 Q表測量電路圖
經推導(1) 介電常數：
(1)
式中：C1—標準狀態下的電容量；
C2—樣品測試的電容量；
d—試樣的厚度(cm)；
Φ—試樣的直徑(cm)；
(2) 介質損耗角正切：
(2)
式中：Q1—標準狀態下的Q值；
Q2—樣品測試的Q值；
(3) Q值：
(3)
多功能介電常數測試儀器實驗步驟
1、本儀器適用于110V/220V，50Hz交流電，使用前要檢查電壓情況，以保證測試條件的穩定。
2、開機預熱15分鐘，使儀器恢復正常狀態后才能開始測試。
3、按部件標準制備好的測試樣品，兩面用特種鉛筆或導電銀漿涂覆，使樣品兩面都各自導電，但南面之間不能導通，備用。
4、選擇適當的輔助線圈插入電感接線柱。根據需要選擇振蕩器頻率，調節測試電路電容器使電路諧振。假定諧振時電容為C1，品質因素為Q1。
5、將被測樣品接在Cx接線柱上。
6、再調節測試電路電容器使電路諧振，這時電容為C2，可以直接讀出Q2。
7、用游標卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d(分別在不同位置測得兩個數據，再取其平均值)。
五、結果處理：
1、e和tgd測定記錄：
實驗數據按表要求填寫。
按照物質電結構的觀點，任何物質都是由不同的電荷構成，而在電介質中存在原子、分子和離子等。當固體電介質置于電場中后會顯示出一定的極性，這個過程稱為極化。對不同的材料、溫度和頻率，各種極化過程的影響不同。
1、介電常數(e)：某一電介質(如硅酸鹽、高分子材料)組成的電容器在一定電壓作用下所得到的電容量Cx與同樣大小的介質為真空的電容器的電容量Co之比值，被稱為該電介質材料的相對介電常數。
式中：Cx —電容器兩極板充滿介質時的電容；
Co —電容器兩極板為真空時的電容；
e —電容量增加的倍數，即相對介電常數
介電常數的大小表示該介質中空間電荷互相作用減弱的程度。作為高頻絕緣材料，e要小，特別是用于高壓絕緣時。在制造高電容器時，則要求e要大，特別是小型電容器。
在絕緣技術中，特別是選擇絕緣材料或介質貯能材料時，都需要考慮電介質的介電常數。此外，由于介電常數取決于極化，而極化又取決于電介質的分子結構和分子運動的形式。所以，通過介電常數隨電場強度、頻率和溫度變化規律的研究，還可以推斷絕緣材料的分子結構。
2．介電損耗(tgd)：指電介質材料在外電場作用下發熱而損耗的那部分能量。在直流電場作用下，介質沒有周期性損耗，基本上是穩態電流造成的損耗；在交流電場作用下，介質損耗除了穩態電流損耗外，還有各種交流損耗。由于電場的頻繁轉向，電介質中的損耗要比直流電場作用時大許多(有時達到幾千倍)，因此介質損耗通常是指交流損耗。
在工程中，常將介電損耗用介質損耗角正切tgd來表示。tgd是絕緣體的無效消耗的能量對有效輸入的比例，它表示材料在一周期內熱功率損耗與貯存之比，是衡量材料損耗程度的物理量。
tg式中：ω —電源角頻率；
R —并聯等效交流電阻；
C —并聯等效交流電容器
凡是體積電阻率小的，其介電損耗就大。介質損耗對于用在高壓裝置、高頻設備，特別是用在高壓、高頻等地方的材料和器件具有特別重要的意義，介質損耗過大，不僅降低整機的性能，甚至會造成絕緣材料的熱擊穿。
3、Q值：tgd的倒數稱為品質因素，或稱Q值。Q值大，介電損失小，說明品質好。所以在選用電介質前，必須首先測定它們的e和tgd。而這兩者的測定是分不開的。
通常測量材料介電常數和介質損耗角正切的方法有二種：交流電橋法和Q表測量法，其中Q表測量法在測量時由于操作與計算比較簡便而廣泛采用。本實驗主要采用的是Q表測量法。
4、陶瓷介質損耗角正切及介電常數測試儀：它由穩壓電源、高頻信號發生器、定位電壓表CBl、Q值電壓表CB2、寬頻低阻分壓器以及標準可調電容器等組成(圖2)。工作原理如下：高頻信導發生器的輸出信號，通過低阻抗耦合線圈將信號饋送至寬頻低阻抗分壓器。輸出信號幅度的調節是通過控制振蕩器的簾柵極電壓來實現。當調節定位電壓表CBl指在定位線上時，Ri兩端得到約l0mV的電壓(Vi)。當Vi調節在一定數值(10mV)后，可以使測量Vc的電壓表CB2直接以Q值刻度，即可直接的讀出Q值，而不必計算。另外，電路中采用寬頻低阻分壓器的原因是：如果直接測量Vi必須增加大量電子組件才能測量出高頻低電壓信號，成本較高。若使用寬頻低阻分壓器后則可用普通電壓表達到同樣的目的。
圖1 Q表測量電路圖
經推導(1) 介電常數：
(1)式中：C1—標準狀態下的電容量；
C2—樣品測試的電容量；
d—試樣的厚度(cm)；
Φ—試樣的直徑(cm)；
(2) 介質損耗角正切：
(2)式中：Q1—標準狀態下的Q值；
Q2—樣品測試的Q值；
(3) Q值：
(3)多功能介電常數測試儀器實驗步驟
1、本儀器適用于110V/220V，50Hz交流電，使用前要檢查電壓情況，以保證測試條件的穩定。
2、開機預熱15分鐘，使儀器恢復正常狀態后才能開始測試。
3、按部件標準制備好的測試樣品，兩面用特種鉛筆或導電銀漿涂覆，使樣品兩面都各自導電，但南面之間不能導通，備用。
4、選擇適當的輔助線圈插入電感接線柱。根據需要選擇振蕩器頻率，調節測試電路電容器使電路諧振。假定諧振時電容為C1，品質因素為Q1。
5、將被測樣品接在Cx接線柱上。
6、再調節測試電路電容器使電路諧振，這時電容為C2，可以直接讀出Q2。
7、用游標卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d(分別在不同位置測得兩個數據，再取其平均值)。
五、結果處理：
1、e和tgd測定記錄：
實驗數據按表要求填寫。
| 序 號 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |
| 試樣厚度 | ||||||
| 試樣直徑 | ||||||
| 測 試 數 據 | C1 | |||||
| C2 | ||||||
| Q1 | ||||||
| Q2 | ||||||
| 計 算 結 果 | e | |||||
| tgd | ||||||
| 平均值 | e = tgd= | |||||
2、計算：
根據表格中測得的數據，按公式(1)、(2)分別計算各個數值。
六、注意事項
(1) 電壓或頻率的劇烈波動常使電橋不能達到良好的平衡，所以測定時，電壓和頻率要求穩定，電壓變動不得大于1%，頻率變動不得大于0.5%。
(2) 電極與試樣的接觸情況，對tgδ的測試結果有很大影響，因此涂銀導電層電極要求接觸良好、均勻，而厚度合適。
(3) 試樣吸濕后，測得的tgδ值增大，影響測量精度，應當嚴格避免試樣吸潮。
(4) 在測量過程中，注意隨時電橋本體屏蔽的情況，當電橋真正達到平衡，“本體－屏蔽”開關置于任何一邊時，檢查計光帶均應最小，而無大變化。
根據表格中測得的數據，按公式(1)、(2)分別計算各個數值。
六、注意事項
(1) 電壓或頻率的劇烈波動常使電橋不能達到良好的平衡，所以測定時，電壓和頻率要求穩定，電壓變動不得大于1%，頻率變動不得大于0.5%。
(2) 電極與試樣的接觸情況，對tgδ的測試結果有很大影響，因此涂銀導電層電極要求接觸良好、均勻，而厚度合適。
(3) 試樣吸濕后，測得的tgδ值增大，影響測量精度，應當嚴格避免試樣吸潮。
(4) 在測量過程中，注意隨時電橋本體屏蔽的情況，當電橋真正達到平衡，“本體－屏蔽”開關置于任何一邊時，檢查計光帶均應最小，而無大變化。
