半導體晶圓溫度檢測監測 晶圓測溫系統

半導體晶圓溫度檢測監測 晶圓測溫系統

TC Wafer晶圓測溫系統是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對晶圓表面的溫度進行實時測量。通過晶圓的測溫點了解特定位置晶圓的真實溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監控半導體設備控溫過程中晶圓發生的溫度變化，獲得升溫、降溫以及恒溫過程期間的溫度溫度數據，從而了解半導體設備的溫度均勻度。

原理

TC Wafer晶圓測溫系統利用熱電效應來測量溫度。其基本原理是在晶圓表面埋入微小的熱電偶元件，當晶圓表面溫度發生變化時，熱電偶產生微弱的電壓信號。通過測量這些電壓信號，可以準確地計算出晶圓的溫度變化。

TC Wafer晶圓測溫系統優勢

高精度：由于其直接嵌入在晶圓表面，可以實現對晶圓溫度的實時、精確監測。

可靠性：傳感器材料穩定，適應長期運行，不易受到外界干擾。

高靈敏度：微小的溫度變化也能被傳感器準確地捕捉，確保制程的穩定性。

即時性：傳感器的實時性能使得生產線上的溫度調整能夠迅速響應，減少生產過程中的溫度波動。

TC Wafer晶圓測溫系統中具有廣泛應用

晶圓熱處理：在晶圓加工過程中，需要對晶圓進行精確的溫度控制，以確保所需的材料性能和結構。

晶圓降溫：晶圓從高溫狀態降溫時，需要監測溫度變化，以避免溫度梯度引起的應力和熱應力。

薄膜沉積：在薄膜沉積過程中，溫度的精確控制可以影響薄膜的厚度、均勻性和質量。

等離子體刻蝕：溫度變化可能會影響刻蝕速率和表面質量，因此需要實時監測和控制溫度。

半導體晶圓溫度檢測監測 晶圓測溫系統