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NE-PE13F等離子去膠機主要由高頻電源、電極、真空室、真空泵、控制系統等幾部分組成。目前普遍采用的等離子體去膠技術工藝都是在真空室里進行的。在反應系統中通入少量的氧氣，在強電場作用下，使低壓氧氣產生等離子體，其中活化氣(或稱活潑的原子態氣)占有適當比例，可以迅速地使光刻膠氧化成可揮發性氣體狀態被機械泵抽走，從而把硅片上的光刻膠膜去除掉。在晶圓制造工藝中，等離子去膠機是通過氧原子核和光刻膠在等離子體環境中發生反應來去除光刻膠的。也常常加入N2或H2來提高去膠性能并加強對殘留聚合物的去除。因而典型的去膠機氣體使用的是O2/N2。光刻膠的基本成分是碳氫聚合物。氧原子很快與光刻膠反應生成揮發性的一氧化碳，二氧化碳，和水等主要生成物，被真空系統抽走，完成光刻膠的去除。
1. 性能穩定、操作簡便、使用成本極低、易于維護，高性價比
2. 體積小巧，有效處理面積大，可以輕松處理8寸硅片去膠等應用
3. 采用平板氣浴電極，去膠效率高，電極間距可調
4. 靈活的電極配置方案，最多可以處理2片8寸硅片
5. 對各種幾何形狀、表面粗糙程度各異的金屬、陶瓷、玻璃、硅片、塑料等物件表面進行超清洗和表面改性。
6. 可實現電子元器件、組件及各種基板表面的等離子清洗，可有效去除連接表面的油污、殘膠及氧化膜等。
高劑量離子注入光刻膠的去除
濕法或干法刻蝕前后殘膠去除
MEMS中犧牲層的去除
去除化學殘余物
去浮渣工藝
SU-8光刻膠去除
等離子去膠又稱干法式去膠，等離子去膠的好壞直接決定了成品率的高低，等離子去膠工藝主要是半導體單片掃膠、掃底膜工藝、元器件封裝前、芯片制造等行業中。
NE-PE13F等離子去膠機產品特點：
1. 性能穩定、操作簡便、使用成本極低、易于維護，高性價比
2. 體積小巧，有效處理面積大，可以輕松處理8寸硅片去膠等應用
3. 采用平板氣浴電極，去膠效率高，電極間距可調
4. 靈活的電極配置方案，最多可以處理2片8寸硅片
5. 對各種幾何形狀、表面粗糙程度各異的金屬、陶瓷、玻璃、硅片、塑料等物件表面進行超清洗和表面改性。
6. 可實現電子元器件、組件及各種基板表面的等離子清洗，可有效去除連接表面的油污、殘膠及氧化膜等。
等離子去膠機常見應用：
高劑量離子注入光刻膠的去除
濕法或干法刻蝕前后殘膠去除
MEMS中犧牲層的去除
去除化學殘余物
去浮渣工藝
SU-8光刻膠去除
等離子去膠又稱干法式去膠，等離子去膠的好壞直接決定了成品率的高低，等離子去膠工藝主要是半導體單片掃膠、掃底膜工藝、元器件封裝前、芯片制造等行業中。
| 型號 | 晶圓等離子去膠機NE-PE13F |
| 真空腔材質 | 材質6061-T6鋁合金 |
| 真空腔體尺寸 | 240mm*300mm*200mm |
| 電極 | 平板氣浴電極，材質6061-T6鋁合金 |
| 電極尺寸 | 205mm *205mm |
| 等離子發生器頻率 | 13.56MHz (可選配40KHz射頻等離子源) |
| 功率 | 0-300W連續可調 |
| 氣體控制 | 針式氣體流量閥， 60-600ml 2路氣體 |
| 真空計 | 電偶式真空計，精度：0.01mTor |
| 控制方式 | 4.3寸工業控制觸摸屏控制 |
