普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備,產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU)的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對SiC功率器件測試設備感興趣,歡迎隨時聯系我們!
“雙高”系統優勢
高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(最大可擴展至10kV)
具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯)
高精度測量
納安級漏電流, μΩ級導通電阻
0.1%精度測量
模塊化配置
可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元
測試效率高
內置專用開關矩陣,根據測試項目自動切換電路與測量單元
支持國標全指標的一鍵測試
擴展性好
支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具
SiC功率器件測試設備測試項目
集電極-發射極電壓Vces,集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等