砷化鎵(GaAs)窗片 正方體 2-16μm,尺寸5x5mm
砷化鎵(GaAs)的生產采用Czochralski或水平Bridgeman晶體生長技術。 由于它是含砷的,應注意處理和工作中的預防措施。砷化鎵(GaAs)晶體的化學穩定性好,硬度高,抗惡劣環境能力強,它在2-16μm光譜范圍有很好的透過率,廣泛應用于熱紅外成像系統,大功率CO2激光光學系統和FLIR系統。在現場環境很差,光學鏡頭或窗口需要反復擦拭的條件下,砷化鎵(GaAs)常被用來替代硒化鋅(ZnSe)作為紅外鏡頭或窗口的材料。
傳輸范圍: | 1-16μm |
折射率: | 3.2727 @10.33μm |
反射損失: | 44%@10.33μm |
吸收系數: | 0.01cm-1 |
吸收峰: | n / a |
dn / dT: | 147×10-6/℃ @ 10μm for derivation |
dn /dμ= 0: | 6.3μm |
密度: | 5.315g/cm3 |
熔點: | 1511℃ |
熱導率: | 48 W m-1K-1@273K |
熱膨脹: | 5.7×10-6/℃@300K |
硬度: | Knoop 750 |
比熱容: | 360 JKg-1K-1 |
介電常數: | 在低頻下為12.91 |
楊氏模量(E): | 84.8GPa |
剪切模量(G): | n / a |
體積模量(K): | 75.5GPa |
彈性系數: | n / a |
表觀彈性限: | 71.9 MPa |
泊松比: | 0.31 |
溶解性: | 不溶于水 |
分子量: | 144.64 |
類/結構: | 立方ZnS,F43m,(100)裂解 |
折射率(O光)
µm | No | µm | No | µm | No |
1.033 | 3.492 | 1.550 | 3.3737 | 2.066 | 3.338 |
2.480 | 3.324 | 3.100 | 3.3125 | 4.133 | 3.3027 |
4.959 | 3.2978 | 6.199 | 3.2921 | 7.293 | 3.2874 |
8.266 | 3.2831 | 9.537 | 3.2769 | 10.33 | 3.2727 |
11.27 | 3.2671 | 12.40 | 3.2597 | 13.78 | 3.2493 |
15.50 | 3.2336 | 17.71 | 3.2081 | 19.07 | 3.1866 |
光譜透射曲線
更新時間:2023/5/24 17:35:26