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英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

參考價	￥ 18888
訂貨量	≥1只

具體成交價以合同協議為準

公司名稱北京京誠宏泰科技有限公司
品牌英飛凌/Infineon
型號FZ1500R33H
所在地北京市
廠商性質經銷商
更新時間2024/8/19 9:53:00
訪問次數691

產品標簽:

功率IGBT模塊 IGBT晶體管 IGBT開關管絕緣柵晶體管電源模塊

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北京京誠宏泰科技有限公司是一家集代理、分銷、經銷、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業解決方案的產業鏈供應商。專業銷售代理國內外電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要代理及經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優派克、SIEMENS西門子、西門康Semikron、瑞士ABB， IXYS艾賽斯、Mitsubishi三菱、Fuji富士、SanRex三社、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Fairchild飛兆半導體、Sanken三肯、因達NIEC，美國IR，NELL尼爾；yaskawa安川；英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發、美國BHC電解電容以及美國CDE無感電容；CONCEPT IGBT驅動模塊、光耦、變頻器主控板、驅動板，操作面板及延長電纜等配件以及富士制動單元

銷售各大半導體功率器件工業備品配件：IGBT模塊；單管IGBT模塊；雙管半橋IGBT模塊；4單元H橋IGBT模塊；3單元IGBT模塊；6單元三相全橋IGBT模塊；
三電平IGBT模塊；6500V高壓IGBT模塊；3300V高壓IGBT模塊；4500V高壓IGBT模塊；IPM模塊；PIM模塊；PLC模塊；GTR達林頓模塊；GTO晶閘管；普通晶閘管；
快速晶閘管；二極管；快恢復二極管；整流橋；剎車整流器；單相整流橋；三相整流橋；全控整流橋；半控整流橋；可控硅；雙向可控硅；反并聯可控硅；驅動板；
IGBT驅動板；可控硅驅動板；可控硅觸發板；晶閘管觸發板； MOSFET管；場效應模塊；電容；直流鋁電解電容；交流濾波電容；啟動電容器；無功補償電容器；
快熔；延時慢熔；智能功率模塊；智能晶閘管模塊；工業觸摸屏；操作面板；工控機；變頻器整機及配件；軟啟動器整機及配件；電力調整器整機及配件；
ABB變頻傳動備件；西門子變頻傳動/直流調速備件；風電/煤礦/石油/鐵路/光伏/新能源汽車備件！

主要銷售德國，歐洲、美國、日本等品牌模塊。公司一直本著“質量*，價格合理，交貨快捷，客戶至上”。公司經營的電力功率模塊，主要用于航天航空，機場設施，電機調速，礦山焊機，船舶艦艇，通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器、UPS、變頻與傳動、電動汽車、電力系統無功補償裝置UPS逆變器/UPS/EPS、風電變流器、變頻空調、光伏變流、機車主牽引變流器、電梯變頻器、起重專用變頻器、感應加熱、電源電鍍/電解電源、有源濾波/無功補償、機車輔助逆變器、逆變焊機；京誠宏泰科技在逆變焊機、不間斷電源UPS、Inverter變頻器、數控伺服、電動汽車、風力太陽能發電等領域與客戶戰略合作，全力支持中國電力電子工業發展！

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IGBT，IPM，可控硅，整流橋，二極管，晶閘管，變頻器配件，IGBT驅動，快熔，電容

產品簡介在線詢價

封裝	170IHV

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；晶閘管；二極管模塊；整流橋模塊；PLC模塊；電容；變頻器備件
3300V IGBT英飛凌FZ1200R33KF2C

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C 產品信息

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；晶閘管；IPM模塊;電容；驅動板；控制板；半導體功率模塊;變頻器配件

煤礦防爆變頻器IIGBT模塊FZ1200R33KF2C

產品參數：

IHM B 1700 V 2400A 190 mm 單開關 IGBT 模塊，配有第四代溝槽柵/場終止 IGBT，

IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 單開關 IGBT 模塊，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低開關損耗和發射極控制二極管——適用于牽引和工業應用的解決方案

3300V IGBT模塊型號：

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

如何計算IGBT器件的工作結溫Tvj？

ChatGPT是這樣說的：

要計算IGBT器件的工作結溫Tvj，需要考慮以下幾個因素：

1	IGBT芯片的功率損耗。這個值可以通過IGBT芯片廠家提供的datasheet中查到。通常來說，功率損耗越大，工作結溫就越高。
2	IGBT芯片的封裝方式。不同的封裝方式會影響散熱效率。一般來說，背面帶有散熱片的封裝方式散熱效果較好。
3	外部散熱器的散熱能力。外部散熱器的散熱能力也會影響工作結溫。散熱器的大小、材料以及通風情況都會影響散熱效果。

如果考慮了以上因素后，可以使用以下公式計算IGBT器件的工作結溫Tvj：

Tvj = Ta + Pd*Rthjc

其中， Ta是環境溫度，Pd是IGBT芯片的功率損耗，Rthjc是芯片與散熱器結合部的熱阻。

需要注意的是，這個公式只考慮了IGBT芯片本身的散熱情況，并沒有考慮整個系統的散熱能力。因此，在實際應用中，還需要結合具體的系統情況來確定IGBT器件的工作結溫。

1700V IGBT模塊型號：

FZ1800R17KF4

FZ1200R17KF6C_B2

FZ1600R17KF6C_B2

FZ2400R17KF6C_B2

FZ1200R17KF4

FZ1200R17HE4

FZ1200R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B21
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4_B2
FZ2400R17HP4_B28
FZ2400R17HP4_B29
FZ3600R17HP4_B2

FZ1200R17HP4
FZ1600R17HP4
FZ1800R17HP4_B9
FZ2400R17HP4
FZ2400R17HP4_B9
FZ3600R17HP4
IGBT4 Fast (IHM B) 1)
FZ1200R17HE4
FZ1800R17HE4_B9
FZ2400R17HE4_B9
FZ3600R17HE4

特征描述

高直流電壓穩定性
高短路能力
自限制短路電流
低開關損耗
出色的堅固性
Tvj op = 150°C
低 VCEsat，具有正溫度系數
鋁碳化硅基板，用于提高熱循環能力
封裝的 CTI > 600
絕緣基板

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

產品規格：

IGBT 類型：溝槽型場截止

配置：半橋

電壓 - 集射極擊穿：1700 V

電流 - 集電極 (Ic)：2400 A

電流 - 集電極截止：100 µA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：122 nF @ 25 V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：無

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：AG-62MM

產品特征：

高功率密度

的 VCE，SAT

Tvj op = 175°C 過載

高爬電距離和電氣間隙

符合 RoHS 標準

4 kV AC 1 分鐘絕緣

CTI > 400 的封裝

通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證

TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

改進的EconoDUAL™ 3封裝

225、750和900A，1700V半橋模塊

的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）

在過載情況下工作結溫可達到175°C

壓接式控制引腳

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

優勢：

具有高電流能力的現有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯

通過簡化逆變器系統降低系統成本

靈活性

高的可靠性

產品應用領域：

不間斷電源（UPS）

儲能系統

電機控制和驅動

商用、建筑和農用車輛 (CAV)

變頻器

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經銷、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業解決方案的產業鏈供應商。

銷售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅動、光耦、變頻器主控板、驅動板，電源板，通信板，接口板

操作面板

英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

IGBT是什么？

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

優點：熱穩定性好、安全工作區大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應英飛凌IGBT模塊FZ1200R33KF2C

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發射極（E）和柵極（G）。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應用

電動機

不間斷電源

太陽能面板安裝

電焊機

電源轉換器與反相器