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BF1205C,115射頻金屬氧化物半導體場效應（RF MOSFET）晶體管 TAPE-7 MOS-

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公司名稱億電科技（香港）有限公司
品牌恩智浦/NXP
型號BF1205C,11
所在地深圳市
廠商性質經銷商
更新時間2015/9/7 15:26:49
訪問次數554

產品標簽:

BF1205C 115 射頻金屬氧化物半導體場效應（RF MOSFET）晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS 射頻金屬氧化物半導體場效應（RF MOSFET）晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS 射頻金屬氧化物半導體場效應（RF MOSFET）晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS 射頻金屬氧化物半導體場效應（RF MOSFET）晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS

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(美臺)、Fairchild(飛兆半導體)、Freescale(飛思卡爾)、International Rectifier（IR）、Maxim Integrated(美信)、Microchip(微芯)、NXP(恩智浦)、ON Semiconductor(安森美半導體)、STMicroelectronics(意法半導體)、Texas Instruments(TI/德州儀器)

互連產品： 3M、Amphenol(安費諾)、FCI、Hirose(廣瀨電機)、JST、JAE(日本航空電子)、Molex(莫仕)、Phoenix Contact(菲尼克斯)、TE Connectivity

機電產品：ALPS(阿爾卑斯)、Apem(阿貝)、C&K、Crouzet(高諾斯)、Crydom(快達)、 Freescale(飛思卡爾半導體)、GE(通用電氣)、Fujitsu(富士通)、Honeywell(霍尼韋爾)、NKK(日開開關)、Omron(歐姆龍)、Optek、Panasonic(松下)、TE Connectivity、Teledyne

光電產品：Avago(安華高)、Cree(科銳)、Dialight、 Fairchild(飛兆半導體)、Lumex、 Optek、OSRAM(歐司朗)、Texas Instruments(TI/德州儀器)、Vishay(威世)

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半導體產品：Analog Devices(ADI亞德諾)、Altera、Atmel(愛特梅爾半導體), Diodes(美臺)、Fairchild(飛兆半導體)、Freescale(飛思卡爾)、International Rectifier（IR）、Maxim Integrated(美信)、Microchip(微芯)、NXP(恩智浦)、ON Semiconductor(安森美半導體)、STMicroelectronics(意法半導體)、Texas Instruments(TI/德州儀器) 互連產品： 3M、Amphenol(安費諾)、FCI、Hirose(廣瀨電機)、JST、JAE(日本航空電子)、Molex(莫仕)、Phoenix Contact(菲尼克斯)、TE Connectivity 機電產品：ALPS(阿爾卑斯)、Apem(阿貝)、C&K、Crouzet(高諾斯)、Crydom(快達)、 Freescale(飛思卡爾半導體)、GE(通用電氣)、Fujitsu(富士通)、Honeywell(霍尼韋爾)、NKK(日開開關)、Omron(歐姆龍)、Optek、Panasonic(松下)、TE Connectivity、Teledyne 光電產品：Avago(安華高)、Cree(科銳)、Dialight、 Fairchild(飛兆半導體)、Lumex、 Optek、OSRAM(歐司朗)、Texas Instruments(TI/德州儀器)、Vishay(威世)

產品簡介在線詢價

制造商:NXP
產品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應（RF MOSFET）晶體管
RoHS:符合RoHS 詳細信息
商標:NXP Semiconductors
Id-連續漏極電流:30 mA, 30 mA
Vds-漏源極擊穿電壓:6 V, 6 V
Rds On-漏源導通電阻:-
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :10 V, 10 V

BF1205C,115射頻金屬氧化物半導體場效應（RF MOSFET）晶體管 TAPE-7 MOS- 產品信息

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光電產品：Avago(安華高)、Cree(科銳)、Dialight、 Fairchild(飛兆半導體)、Lumex、 Optek、、Texas Instruments(TI/德州儀器)、Vishay(威世)
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BF1205C,115	NXP	5000
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CBT3251DB,118	NXP	5000
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