BHC(KEMET)電容器ALS31系列
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——主要針對通用變頻器、中高壓變頻器、UPS、逆變電焊機等電力電子設備對電解電容的要求應用
——高紋波電流,ROHS環保兼容,全絕緣外套鋁殼結構,帶有安全閥l
1.容量和額定工作電壓:
BHC(KEMET)電容器ALS31系列 BHC(KEMET)電容器ALS31系列
在電容選型中,對電流變化頻率高的地方要選用較大容量的電容,但并非容量越大越好,需要考慮容量增大,成本和體積可能會上升及電容越大充電電流就越大,充電時間也會越長等因素。
常用的固定電容工作電壓有6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、250V、400V、500V、630V。電容在電路中實際要承受的電壓不能超過它的耐壓值。在交流電路中,要注意所加的交流電壓zui大值不能超過電容的直流工作電壓值。
在濾波電路中,電容的耐壓值不要小于交流有效值的1.42倍。其次需要考慮工作電壓裕量,一般來說要在15%以上。讓電容器的額定電壓具有較多的余裕,能降低內阻、降低漏電流、降低損失角、增加壽命。
2.介質損耗:
電容器在電場作用下消耗的能量,通常用損耗功率和電容器的無功功率之比,即損耗角的正切值表示(在電容器的等效電路中,串聯等效電阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比稱之為 Tan δ。 ESR 是在 120Hz 下計算獲得的值。顯然,Tan δ隨著測量頻率的增加而變大,隨測量溫度的下降而增大)。損耗角越大,電容器的損耗越大,損耗角大的電容不適于高頻情況下工作。
散逸因數dissipationfactor(DF)會以損失角tanδ表示,愈低愈好。此參數與溫度、容量、電壓、頻率……都有關系;當容量相同時,耐壓愈高的DF值就愈低。此外隨溫度,頻率上升而升高。
3.ESR:
電容器會因其構造而產生各種阻抗、感抗。ESR(等效串聯電阻)及ESL(等效串聯電感)是容抗的基礎。一個等效串聯電阻(ESR)很小的電容相對較大容量的外部電容能很好地吸收快速轉換時的峰值(紋波)電流。用 ESR 大的電容并聯更具成本效益。
4.紋波電流和紋波電壓:
也稱作漣波電流和漣波電壓,即 ripple current,ripple voltage。含義是電容器所能耐受紋波電流/電壓值。紋波電壓等于紋波電流與ESR的乘積。
散逸因數dissipationfactor(DF)會以損失角tanδ表示,愈低愈好。此參數與溫度、容量、電壓、頻率……都有關系;當容量相同時,耐壓愈高的DF值就愈低。此外隨溫度,頻率上升而升高。
當紋波電流增大的時,即使在 ESR 保持不變的情況下,紋波電壓也會成倍提高。換言之,當紋波電壓增大時,紋波電流也隨之增大,這也是強調電容具備更低 ESR 值的原因。疊加入紋波電流后,由于電容內部的等效串連電阻(ESR)引起發熱,從而影響到電容器的使用壽命。一般的,紋波電流與頻率成正比,因此低頻時紋波電流也比較低。
額定紋波電流是在zui高工作溫度條件下定義的數值。而實際應用中電容的紋波承受度還跟其使用環境溫度及電容自身溫度等級有關。
5.漏電流:
電容器的介質對直流電流具有很大的阻礙作用。然而,由于鋁氧化膜介質上浸有電解液,在施加電壓時,重新形成的以及修復氧化膜的時候會產生一種很小的稱之為漏電流的電流。通常,漏電流會隨著溫度和電壓的升高而增大。它的計算公式大致是:I=K×CV。漏電流I的單位是μA,K是常數。一般來說,電容器容量愈高,漏電流就愈大。從公式可得知額定電壓愈高,漏電流也愈大,因此降低工作電壓亦可降低漏電流。
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美國CDE電容DCMCE1650
美國CDE電容DCMCE1651
美國CDE電容DCMCE1652
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美國CDE電容DCMCE1666
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美國CDE電容DCMCE1670
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美國CDE電容DCMCE1672
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美國CDE電容DCMC392M400CD5F
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美國CDE電容DCMC123M400FP5H
美國CDE電容DCMC472M450DE5F
美國CDE電容500C332M450DC5F
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美國CDE電容3186FE332M400MPC1
美國CDE電容3186GG562M400MPC1
美國CDE電容3186GH682M400MPC1
美國CDE電容3186GY682M450MPC1
美國CDE電容3186GE472M400MPC1
美國CDE電容3186GG472M450MPC1
美國CDE電容3186FC222M400MPC1
美國CDE電容3186FD222M450MPC1
美國CDE電容3186GY682M400MPC1