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高溫反偏 高溫柵偏 HTRB/HTGB 用于各種封裝的的二、三極管、橋堆、mosfet和可控硅等分立器件進行高溫反偏高溫柵偏試驗（htrb/htgb）、高 溫漏電流測試（htir）和老化篩選, 根據客戶對設備的要求，價格也有所區別 |
可測試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件
高溫反偏 高溫柵偏 HTRB/HTGB
? 可以通過計算機設定試驗參數（Vce、Ices、Tc、時間、采樣周期）和監控參數（Vce、Ice、Tc、T，實時采集并記錄試驗過程中每個工位的溫度（Tc）、時間、電壓、漏電流等，并可隨時瀏覽數據。
? 當被測器件失效時（Ices超限），系統能自動檢測、報警，并可及時切斷高壓電源（不需要中斷加熱），停止試驗，該失效點的詳細數據會被記錄下來，并記錄失效時間節點。
? 試驗數據保存可以設定保存的時間間隔，設定時間范圍為：10s-600s，但當器件檢測失效時，可以自動保存失效前至少一個采樣時間周期的詳細數據，有助于對器件失效進行分析。
? 該系統采用計算機記錄測試結果，并可以將測試結果轉換為“EXCEL”并保存。
? 安全防護1：該設備具有超溫保護、安全聯鎖等。
? 安全防護2：配備獨立于溫控系統的干觸點超溫保護裝置，在電路的發熱位置配溫度傳感器，一旦有異常超溫現象，發出警報并自動切斷設備電源。
? 安全防護3：設備操作門配有安全連鎖開關，操作面板配置急停開關，保證測試及設備維護時人員安全。
西安天光測控技術有限公司在半導體制造商中，公司已經擁有不少的客戶，并與他們一直友好合作。
公司擁有經驗豐富的專業人才和齊全的生產設備，隨時可為您提供高效優質的服務。
