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4月25日消息，SK海力士發布截至2024年3月31日的2024財年第一季度財務報告。公司2024財年第一季度結合并收入為12.4296萬億韓元，營業利潤為2.886萬億韓元，凈利潤為1.917萬億韓元。2024財年第一季度營業利潤率為23%，凈利潤率為15%。
公司2024年第一季度收入創歷史同期新高，營業利潤也創下了市況最佳的2018年以來同期第二高，公司將其視為擺脫了長時間的低迷期，開始轉向了全面復蘇期。
SK海力士表示：“憑借HBM等面向AI的存儲器技術領導力，公司提升了面向AI服務器的產品銷量，同時持續實施以盈利為主的經營活動，從而實現了營業利潤環比增長734%的業績。”公司還強調：“就NAND閃存而言，隨著高端eSSD產品的銷售比重提升，而且平均售價(ASP，Average Selling Price)也有所上升，成功實現扭虧為盈，其對公司具有重要意義。”
公司展望未來，面向AI的存儲器需求正在不斷增長，普通DRAM產品需求也將從下半年起有所恢復，因此今年半導體存儲器市場將呈現穩定的增長趨勢。業界預測，因為HBM等高端產品與普通DRAM產品相比需要利用更大的產能(Capacity)，隨著高端產品為主的產量增加，通用DRAM產品供應將會相對減少，于是供應商和客戶端的庫存將會耗盡。
順應面向AI的存儲器需求增長的這一趨勢，SK海力士決定加大于今年3月全球率先開始生產的HBM3E產品供應，并拓展其產品的客戶群。同時，公司將在今年內推出第五代10納米級(1b)32Gb DDR5 DRAM產品，以加強面向服務器的高容量DRAM產品的市場領導力。
就NAND閃存，SK海力士為了維持業績改善的趨勢，將推進產品優化。以公司具有較強競爭力的高性能16組通道eSSD產品、子公司Solidigm的四層單元(QLC)高容量eSSD產品為中心著重提高產品銷售。同時，公司還將通過適時推出用于AI PC的第五代 PCIe cSSD，并以最佳產品線應對市場需求。
注： NAND閃存憑借數據存儲方式，可分為每個單元可存儲1位數據的單層存儲單元(SLC，Single Level Cell)，存儲2位數據的多層存儲單元(MLC，Multi Level Cell)，存儲3位數據的三層存儲單元(TLC，Triple Level Cell)，存儲4位數據的四層存儲單元(QLC，Quadruple Level Cell)。與具有相同單元數量的SLC相比，QLC可存儲多達4倍的數據，因此容易實現高容量存儲，而且生產成本效率高。
此外，SK海力士將為擴大產能適時進行投資。公司于本月24日已宣布，決定將韓國清州的M15X廠定為DRAM生產基地并加速建設。并且也將順利推進龍仁半導體集群和美國印第安納州先進封裝工廠等中長期投資項目。
據此，今年投資規模與年初的原計劃相比會有所提升。公司對此解釋道，此次加大投資是根據客戶需求的增長趨勢而決定，HBM和普通DRAM的供應也將根據市場需求逐漸提升。公司期待在此過程中，全球半導體存儲器市場得以穩部增長的同時，公司也能夠確保更高投資效率和財務穩健性。
SK海力士財務擔當副社長(CFO)金祐賢表示：“憑借HBM等適于AI的存儲器技術領先優勢，公司業績開始全面回升。今后，公司也將及時供應最高性能的產品，并繼續維持以盈利為主經營，不斷改善公司業績。”(新喀鴉)
浙公網安備 33010602000006號
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