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乘著AI芯片需求的增長“浪潮”，高塔半導體(Tower Semiconductor)正迎來業務上的增量爆發。
這家以色列晶圓代工廠憑借其在硅光子和硅鍺技術方面的領先地位，在市場中脫穎而出。這些技術加速了數據傳輸，還降低了能耗。
盡管Tower Semiconductor在晶圓代工領域排名第七，但其創新技術使其在硅光子業務中獲得了對行業龍頭如臺積電、英特爾的競爭優勢。
公司總裁Marco Racanelli強調：“對于人工智能最新的拉動潛力，我們在硅光子和硅鍺方面看到了巨大的需求。我們在硅鍺中構建了放大器、跨阻放大器和驅動器，這些模塊都需要這些技術。在硅光子方面，我們則制造了所有的光學組件。”
為了擴展其光子產品組合，Tower正在與合作伙伴OpenLight合作，利用后者的激光技術。雙方正在構建一個生態系統，專注于制造硅光子芯片。Racanelli透露：“下一代技術中，我們看到了使用OpenLight工藝集成激光器的機會。”
Tower Semiconductor預計今年其硅光子業務收入將翻倍至約1億美元，并可能在明年再次翻倍。如此一來，這項業務也將在一兩年內占到公司總收入的約10%。據Craig-Hallum的分析師Richard Shannon稱，Tower擁有超過50家硅光子客戶，其中包括全球11家數據通信收發器制造商中的7家。
當下，市面上最新的800G收發器能夠處理大量數據，數據中心的光子組件正在從可插拔形式向基于硅的共封裝光學轉變，以將轉換接口更靠近計算單元。Shannon指出：“Tower Semiconductor在可插拔領域占據主導地位，因為其工藝高度可定制，能夠根據客戶需求提供其他公司無法實現的解決方案。”
據其透露，Tower Semiconductor還推出了混合集成激光器的版本，預計不久將上市。
最新硅光平臺已量產1.6T產品
11月19日，Tower Semiconductor正式宣布，其最新的硅光(SiPho)平臺上已成功量產了多家客戶(包括Coherent)設計的1.6Tbps硅光子產品。
該平臺得益于Tower與多家客戶的緊密合作，融入了多項創新技術，從而實現了數據傳輸速率的顯著提升，較當前主流的800G產品提升了一倍。
具體而言，這一增強型平臺采用了先進的工藝，支持每通道數據傳輸速率提升至200G，并通過八通道并行構建，總計可達1.6T的收發器吞吐量。相較于以往每通道僅100G、總速率800G的配置，這一進步標志著數據傳輸能力的大幅躍升。此外，這些客戶已在這一平臺上設計出突破性的1.6T產品，并已開始批量訂購產能。
人工智能推動多個細分市場
Racanelli指出，AI是推動這一需求浪潮的關鍵因素：“這些需求很難具體細分，但總體上，我們認為大部分增長來自人工智能。”Tower在跨阻放大器(TIA)和驅動器市場中占有超過50%的份額，為行業領先者如Macom Technology和Semtech提供服務。
“如果線性可插拔光學(LPO)市場興起，TIA和驅動器的價值將增加，從而提供更多增長潛力。此外，Tower Semiconductor還是ACC(有源銅纜)的主要代工廠，這些產品被廣泛用于英偉達(Nvidia)的Blackwell機架。”
與英特爾和意法半導體達成合作
在去年Tower Semiconductor被英特爾收購計劃因中國市場監管機構的干預而擱置后，這家較小的代工廠通過投資3億美元獲得了英特爾位于新墨西哥州的一家晶圓廠產能。2021年，Tower Semiconductor也曾對意法半導體位于意大利Agrate的晶圓廠進行過類似投資。
此外，Tower Semiconductor通過與英特爾和意法半導體的合作，擴大了其電源管理IC的生產。在與英特爾的合作中，Tower無需建設新廠，而是從英特爾位于新墨西哥州的晶圓廠中租用了一部分產能。Racanelli表示，這一合作將使Tower在2025年開始生產，并預計明年就能看到一些收益。
對于傳統芯片市場，Racanelli表示，盡管中國正在建設大量廉價傳統芯片的產能，但Tower并不擔憂。他指出，由于地緣政治的影響，美國和西方公司被鼓勵減少使用中國臺灣和中國的制造，這反而為Tower等西方代工廠提供了機會。Racanelli還提到，許多客戶有興趣將部分生產從中國轉移到其他地方，尤其是從中國臺灣轉移到西方代工廠，而這正是Tower正在受益的趨勢。
擺脫傳統芯片的桎梏
Tower Semiconductor的先進工藝技術主要應用于傳統節點領域，覆蓋從45nm到低于四分之一微米的工藝節點。對于市場上涌現的大量來自中國的廉價傳統芯片，Racanelli表示并不擔憂。
Tower Semiconductor的晶圓廠遍布全球，分別位于以色列、美國和日本。Racanelli指出：“盡管中國正在我們市場中一些非常低端的領域，如分立器件業務，尤其是MOSFET業務上，大力建設產能并可能構成威脅，但我們對此并不感到恐慌。實際上，由于地緣政治因素的影響，美國和西方公司正被鼓勵減少依賴中國臺灣和中國的制造能力，這顯然給西方代工廠帶來了機遇。
而Tower Semiconductor的所有工廠均位于西方國家，因此，我們能夠從這一趨勢中受益。特別是，我們觀察到許多客戶有興趣將部分生產從中國，尤其是中國臺灣，轉移到西方代工廠。”
大力擴產，預計Q4營收近4億美元
當地時間周三，以色列芯片代工企業Tower Semiconductor宣布，由于芯片需求回暖，公司預計第四季度營收將高于市場預期。
為此，公司計劃投資3.5億美元以擴大產能，這筆資金將用于增強硅光子技術和硅鍺技術的生產能力。硅光子技術主要應用于自動駕駛汽車領域，而硅鍺技術則服務于無線通信和高性能計算系統。
盡管公司未透露具體的投資時間表，但計劃已包括在美國圣安東尼奧、以色列的Migdal Haemek以及日本魚津的300毫米工廠中，完成200毫米產能的認證與提升。
Tower Semiconductor主要為“無晶圓廠”公司制造模擬和混合信號半導體，這些芯片廣泛應用于汽車領域。盡管電動汽車需求增速放緩導致汽車行業芯片庫存水平偏高，但上月模擬芯片需求風向標德州儀器(Texas Instruments)指出，中國汽車市場需求的改善正助力降低庫存水平。
回顧第三季度，Tower Semiconductor的營收為3.71億美元，高于華爾街預期的3.703億美元；每股收益為0.57美元，同樣超出分析師預期的0.53美元。根據LSEG的數據，Tower Semiconductor預計今年第四季度營收將達到3.87億美元。
向印度半導體制造投資100億美元
以色列的Tower Semiconductor與Adani集團將攜手，在印度西部的馬哈拉施特拉邦投資約100億美元(8394.7億印度盧比)，該邦首席部長周四在X平臺發布的一則帖子中宣布了此消息。
印度一直在積極采取措施，吸引全球公司在本國設立制造單位，以期將印度打造為全球的芯片制造中心。
盡管過程中遭遇了一些挫折，如去年7月富士康退出與印度企業集團Vedanta的195億美元半導體合資項目，以及阿布扎比Next Orbit Ventures和Tower Semiconductor組成的合資企業ISMC在印度投資的30億美元項目進展緩慢，但印度依然對其半導體市場前景充滿信心。預計到2026年，該國半導體產業的市場規模將達到630億美元。
半導體制造，已成為億萬富翁Gautam Adani最新的業務探索領域，他的企業集團已涉足港口、電力公用事業、輸電和煤炭貿易等多個領域。馬哈拉施特拉邦副首席部長Devendra Fadnavis在X平臺發布的一則帖子中透露，這座耗資100億美元的半導體工廠在初期將具備每月生產4萬片晶圓的能力。
此外，首席部長Ehnath Shinde在社交媒體上表示，當天批準了總值1.17萬億印度盧比的項目，預計將在該邦創造29,000個就業崗位。其中，還包括兩家新增的電動汽車制造工廠：斯柯達-大眾將投資1,500億印度盧比建設電動汽車和混合動力汽車工廠；豐田-基洛斯卡將投資2,127.3億印度盧比，在該邦的工廠生產混合動力和電動汽車。
對于以上消息，Adani集團、Tower Semiconductor、斯柯達-大眾和豐田-基洛斯卡目前均未作出立即回應。
浙公網安備 33010602000006號
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