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[代理] 兩探針電阻率測(cè)試臺(tái)（SZT-K型兩探針電阻率測(cè)試臺(tái)）
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- 北京博倫經(jīng)緯科技發(fā)展有限公司
- 2017-04-15 10:46:51
- 北京市西三旗上奧世紀(jì)中1號(hào)樓2單元401
- 247
【簡(jiǎn)單介紹】
【詳細(xì)說明】
SZT-K1型兩探針電阻率測(cè)試臺(tái)，是用來裝夾棒類樣品（圓或方截面），連接四探針測(cè)試儀器，進(jìn)行兩探針法電阻率測(cè)試的機(jī)具。是兩探針法測(cè)試電阻率儀器的配套測(cè)量裝置（以下簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)）。設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》，GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》，GBT 24525-2009 《炭素材料電阻率測(cè)定方法》。
基本組成：測(cè)試臺(tái)主要有底板、雙軌水平導(dǎo)向單元、探頭水平移動(dòng)及測(cè)試壓力調(diào)節(jié)單元、左右樣品裝夾單元等。
配套與兼容：本測(cè)試臺(tái)自帶兩探針測(cè)試探頭，兼容本公司大部分四探針測(cè)試儀器。
二、基本參數(shù)和可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸
兩探針針距：10mm,15mm,20mm可調(diào)
可測(cè)樣品：直徑或邊長(zhǎng): 圓截面≤ Φ50mm，或≤ 50mm×50mm方截面。
長(zhǎng)（或高）度： 兩端面頂持方式L≤420mm, 側(cè)面夾持方式不限.
測(cè)量方位： 軸向（長(zhǎng)度方向）。
三 、使用方法
3.1 放置樣品：
根據(jù)樣品長(zhǎng)短和需要選擇樣品裝夾方式，對(duì)于較粗短的適合用兩端面對(duì)頂夾持方式，如圖3.1A。對(duì)于較細(xì)長(zhǎng)的樣品適合用兩端側(cè)面夾持的方式，如圖3.1B。
兩端面夾持的方式樣品放置操作步驟如下：
首先，把紅色扳手向上向后板起，把兩探針測(cè)試探頭向上抬起，便于樣品裝夾，圖3.2A,轉(zhuǎn)動(dòng)測(cè)試臺(tái)底板右側(cè)手輪，使得右裝夾電極單元移動(dòng)到左右電極距離稍大于樣品長(zhǎng)度，如圖3.2A，左手托起樣品，水平置于兩電極之間，參照左右電極的“V”型槽和測(cè)試探頭探針位置，將樣品水平置于探頭探針正下方，合適的垂直高度，右手轉(zhuǎn)動(dòng)手輪，向左移動(dòng)右電極將樣品從兩端面夾緊。如圖3.2B。為了樣品和電極接觸良好，在接觸面墊上炭紙，下同。
兩端側(cè)面夾持的方式樣品放置操作步驟如下：
參照?qǐng)D3.1B,參照端面夾持的方式，不同的是，先調(diào)節(jié)左右電極上的夾緊螺母，使得左右兩個(gè)活動(dòng)上電極先向上，使得上下電極反“V”型槽之間有足夠空間穿放樣品。樣品放好，調(diào)節(jié)垂直鎖緊螺母，夾緊樣品。如圖3.2C。
3.2探頭探針壓力調(diào)整：
將測(cè)試臺(tái)上部操作扳手向前向下，壓下探頭。如圖3.3A,在探頭壓下的狀態(tài)下，可根據(jù)樣品上側(cè)面和探頭探針尖的距離，如圖3.3B,調(diào)節(jié)測(cè)試臺(tái)垂直導(dǎo)軌支架中部螺桿上的螺母（先松開鎖緊螺帽），如圖3.3C,觀察探頭探針壓下程度，調(diào)節(jié)測(cè)試壓力！一般以探針被壓縮2mm行程為宜。調(diào)好后鎖緊鎖緊螺帽。
3.3 調(diào)節(jié)修正系數(shù)，讀取電阻率值：
根據(jù)樣品截面S和兩探針針距L,查說明書附表，得修正系數(shù)K,輸入到儀器中，直接讀取電阻率值，儀器操作參考所配儀器說明書。
3.4 測(cè)試樣品不同段點(diǎn)的電阻率值：
一個(gè)段點(diǎn)測(cè)試完畢，抬起探頭，水平移動(dòng)探頭單元，在選擇的另一段點(diǎn)壓下探頭即可，直接讀取電阻率值。
3.4 付卸樣品：
先抬起探頭，對(duì)于端面夾持的樣品，要在手托好樣品后，轉(zhuǎn)動(dòng)手輪松開樣品，再移去樣品。對(duì)于穿芯式側(cè)面夾持的樣品，松開兩電極上方的鎖緊螺母后，從兩端抽取出樣品。
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