概述：

電線電纜電介質擊穿強度試驗儀采用觸摸屏或計算機控制，是通過給材料持續(xù)施加電壓測試固體絕緣材料的介電強度、擊穿強度、電氣強度、耐壓強度、擊穿電壓、試驗電流、擊穿電流的材料耐高壓絕緣性能的試驗設備，也可在不同溫度不同環(huán)境下測試?？蓪崟r查看試驗曲線，試驗后生成各種文檔保存或打印試驗報告。ZJC系列機型是新升級的落地式機型，占地空間小，外表美觀。北京智德創(chuàng)新檢測儀器試驗空間采用全封閉并有多項安全保護措施，已達到零安全隱患。是替代進口設備的產品。產地北京房山。

電線電纜電介質擊穿強度試驗儀主要適用于固體絕緣材料如樹脂和膠、浸漬纖維制品、云母及其制品、塑料復合制品、陶瓷和玻璃等介質在工頻電壓或直流電壓下擊穿強度和耐電壓時間的測試；該儀器采用計算機控制，可對試驗過程中的各種數據進行快速、準確的采集、處理，并可存取、顯示、打印。

是測試有關產品耐電壓擊穿強度的重要儀器。依靠該儀器提供的模擬試驗條件，可以直觀、準確、快速、可靠地對各種被測對象進行擊穿電壓，漏電流等各項測試。儀器采用觸摸屏和計算機雙重操控，可以方便地把試驗結果進行數據存儲、處理、曲線顯示及打印。本儀器經過多年不斷改進完善，日趨成熟，具有很高的安全性和可靠性，受到了用戶的好評。
電介質的擊穿：

現象：當施加于電介質的電場強度增大到一定程度時，電介質由絕緣狀態(tài)突變?yōu)閷щ姞顟B(tài)，此躍變現象稱為電介質的擊穿。

表征：介質發(fā)生擊穿時，通過介質的電流劇烈地增加，

其特征為：

1、介質擊穿：電極間的短路現象；是電介質的基本性能之一；決定了電介質在強場下保持絕緣性能的極限能力；成為決定電工、電子設備最終壽命的重要因素。

2、介電強度：絕緣介質所能承受的不產生介質擊穿的最大場強。

絕緣技術向高場強方向發(fā)展：

3、高壓輸電；高能粒子加速器；半導體器件；集成電路

4、介質擊穿的應用：氣隙開關、放電管，局部放電光、熱、機械力，等離子體對細胞膜的作用  

介質擊穿主要分為熱擊穿和電擊穿兩大類

熱擊穿：由于介質內熱的不穩(wěn)定過程所造成（非本征性質）

與材料性能、絕緣結構、電壓種類、環(huán)境溫度有關

電擊穿

是介質在強電場作用下產生的本征物理過程

度量介質耐受電場作用的能力——耐電強度

具有可逆與不可逆的擊穿形式

氣體介質的電擊穿

                      均勻電場中氣體的導電特性

A段符合歐姆定律；B段電流飽和；C段電流驟增，

擊穿表現形式：火花放電，輝光放電，電暈放電，電弧放電

湯遜理論——碰撞電離

（1）載流子的產生過程

（2）電子附著效應

（3）碰撞電離理論模型

                        電子雪崩中的電荷分布

（1）載流子的產生過程：碰撞電離，光致電離，熱電離，電極表面發(fā)射

碰撞電離：碰撞后粒子的變化過程：① 激發(fā)——電子得到能量后，躍遷到更高的能級上，原子、分子成為激發(fā)態(tài)。② 電離——電子脫離原子核束縛成為自由電子，失去電子的原子、分子成為離子。△u_i+A→A⁺+e       △u_i+(AB) →(AB)⁺+e。③ 復合——正離子與電子碰撞復合成中性原子或分子，并放出能量。A⁺+e→A+△u_i       (AB)⁺+e→(AB) +△u_i。④ 附著——電子與中性原子、分子碰撞，由于原子有較大的電子親合力而形成負離子，放出能量。A+e→A^-+△u_i          (AB)+e→(AB)^-+ △u_i

外電場使自由電子加速運動，動能增加并與原子（粒子）發(fā)生碰撞，當核外電子所獲能量大于克服原子核束縛所需能量時，引起碰撞電離。

碰撞電離系數a：一個電子在電場力作用下，走過單位距離所產生的碰撞電離次數。又稱湯遜第一電離系數 單位：1/米

電子自由行程x：電子在兩次碰撞間所走過的路程。自由行程愈大®電子獲得能量愈大®碰撞電離次數增加®碰撞電離系數a增大

式中：p為 壓力， A、B 為與E、p無關的函數，E為電場強度。Ap 為a的極限值

離子碰撞電離系數b——湯遜第二電離系數，

由于離子質量大，b << a ，故b對載流子貢獻小。

光致電離

頻率為n的光照射氣體時，當光子能量大于氣體分子電離能時：hv≥u_i

可引起氣體光致電離：A+hv→A⁺+e

光的來源：

①由外來射線產生，短波射線才有電離氣體能力。

②分子從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)，或異性離子復合時產生光子。

熱電離:

按氣體分子能量均分原理，氣體溫度為T時，分子動能：1/2mv2=1/2kT

若兩個粒子碰撞時總能量kT≥ui時，氣體發(fā)生熱電離。

熱電離是ji高溫度下的現象，上萬度以上才有顯著的熱電離發(fā)生。

電極表面發(fā)射

場致發(fā)射：J=AE²e^-B/E0

熱電子發(fā)射：J=AT²e^{(βs√E/kT-ΦD)}

光致發(fā)射：hv≥u_i

其他具有足夠能量的粒子撞擊電極表面，引起電極發(fā)射。用系數g反映電極發(fā)射的能力，稱為湯遜第三電離系數。

功函數小的金屬材料作電極，易產生表面發(fā)射。

（2）電子附著效應

電子親和力大的元素，吸附電子而形成質量大、速度慢的負離子（氧、SF₆）；

使自由電子數減少，電離降低，抑制電流倍增。

電子附著系數h：在電場作用下，電子走過單位距離附著于中性粒子的電子數，即生成的負離子數或減少的電子數。

電離使電子增加dn=n adx,

附著使電子數減少dn_-=n h dx

故電子凈增為： dn- dn_-= n （a- h ）dx

相當于使電離系數a減小。

(3)碰撞電離理論模型

陰極有n₀個電子，經碰撞電離到達陽極產生n_d=n₀e^αd