目錄:北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司>>介電常數(shù)測試儀>>相對介電常數(shù)測試儀>> ZJD-87相對介電常數(shù)|介質(zhì)損耗測試儀
參考價 | ¥ 120000 |
訂貨量 | ≥1臺 |
¥120000 |
≥1臺 |
聯(lián)系方式:劉偉查看聯(lián)系方式
更新時間:2023-03-29 15:48:57瀏覽次數(shù):635評價
聯(lián)系我們時請說明是智能制造網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
概述:
高精密高壓電容電橋主要采用電流比較儀的原理,具有操作方便可靠、測量精度高、讀數(shù)位數(shù)多、線性度好,不受環(huán)境濕度影響,儀器顯示采用大屏幕TFT,可顯示電容值 Cx、介損值tgδ、試驗電壓Upk/√2 、電感量Lx、品質(zhì)因數(shù)Q、測試電流Ix、材料的介電常數(shù)ε、測試電源頻率fx、視在功率S、有效功率P、無功功率Q等,它不僅能測電容器的電容量、介損量,還能測量電抗器的電感量和Q值及固體材料和液體材料的介質(zhì)損耗和介電常數(shù),還有前時鐘的顯示,是目前國內(nèi)精度高、穩(wěn)定性好、操作方便、用途廣泛的高壓電橋。它在測量上具有很高的比率精度和穩(wěn)定性,這是一般西林電橋 、高壓介損儀不能達到的。適宜于在高電壓下測量電力電纜、高壓套管、電力電容器、 電抗器、互感器等高壓電力設(shè)備的電容量及損耗角正切值tgδ,以及各種固體或液體絕緣材料的介電常數(shù)(ε)及介損值tgδ,也可測量高壓變壓器或電壓互感器的比差和角差。電橋可外接電流互感器以擴大量程,測量大的電力電容器時本電橋為四端測量具有引線補償裝置,使測量精度提高,消除接線電阻引起的附加誤差。本介電測試儀還可測量電抗器的電感量及Q值。量程擴展器(供選購)能使主橋體的電容比從1000:1擴大到106:1。
相對介電常數(shù)|介質(zhì)損耗測試儀主要技術(shù)參數(shù):
1、測量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。
在Cn=100 pF、R4=3183.2(Ω)時:
測量項目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 40pF—20000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介損損耗tgδ | 0-1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
在Cn=100 pF、R4=318.3(Ω)時:
測量項目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 4pF—2000pF | ±0.5% Cx±3pF |
介損損耗tgδ | 0-0.1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
2.相對濕度/溫度:30~85%;0~40℃
3.工作電壓:220V10%,50HZ
4.測溫范圍:0~199.9℃,誤差1+0.1℃
5.控溫范圍:室溫~199.9℃,穩(wěn)定度(1+0.1)℃
6.由室溫加熱至控溫值:不大于45min
7.加熱功率:< 1000W(包括內(nèi)、外加熱器)
8.兩極空間距離:2mm
9.空杯電容量:60±2pF
10.最大測量電壓:工頻2000V
11.空杯tgδ:≤5×10-5
12.液體容量:約40mm3
13.電極材料:不銹鋼
14.重量:約10kg
15.型號:QS37A(智德創(chuàng)新儀器)
符合標(biāo)準(zhǔn):
《JJG563-2004高壓電容電橋檢定規(guī)程》
《JB1811-92壓縮氣體標(biāo)準(zhǔn)電容器》
《GB1409-2016固體絕緣材料相對介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗方法》
《ASTM D150固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常數(shù)的試驗方法》
《IEC 60250測定電氣絕緣材料在工頻、音頻、射頻(包括米波長)下電容率和電介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法》
相對介電常數(shù)|介質(zhì)損耗測試儀產(chǎn)品特點:
電橋顯示屏幕為彩色TFT顯示,能直接顯示被試品電容量Cx、介損tgδ、介電常數(shù)εr、試驗電壓Upk/√2、試驗頻率Hz、電極面積A、材料厚度h、電感量Lx、品質(zhì)因數(shù)Qx、測試電源頻率fx、視在功率S、有效功率P、無功功率Q、電線電纜的介損介電常數(shù)(管狀材料)、測量系統(tǒng)接線圖等。
特點:
1、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指零儀,外圍接線極少。
2、電橋采用接觸電阻小,機械壽命長的十進開關(guān),保證測量的穩(wěn)定性。
3、儀器具有雙屏蔽,能有效防止外部電磁場的干擾。
4、QS37a型介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀器內(nèi)部電阻及電容元件經(jīng)特殊老化處理,使儀器技術(shù)性能穩(wěn)定可靠。
5、儀器內(nèi)置100pF標(biāo)準(zhǔn)電容器及5000V數(shù)字式高壓測試電源。
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)測量實驗
介電特性是電介質(zhì)材料極其重要的性質(zhì)。在實際應(yīng)用中,電介質(zhì)材料的介電系數(shù)和介質(zhì)損耗是非常重要的參數(shù)。例如,制造電容器的材料要求介電系數(shù)盡量大,而介質(zhì)損耗盡量小。相反地,制造儀表絕緣器件的材料則要求介電系數(shù)和介質(zhì)損耗都盡量小。而在某些特殊情況下,則要求材料的介質(zhì)損耗較大。所以,通過測定介電常數(shù)(ε)及介質(zhì)損耗角正切(tgδ),可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù)。
一、實驗?zāi)康?/span>
1、探討介質(zhì)極化與介電常數(shù)、介質(zhì)損耗的關(guān)系;
2、了解高頻Q表的工作原理;
3、掌握室溫下用高頻Q表測定材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值。
二、實驗原理
按照物質(zhì)電結(jié)構(gòu)的觀點,任何物質(zhì)都是由不同的電荷構(gòu)成,而在電介質(zhì)中存在原子、分子和離子等。當(dāng)固體電介質(zhì)置于電場中后會顯示出一定的極性,這個過程稱為極化。對不同的材料、溫度和頻率,各種極化過程的影響不同。
1、介電常數(shù)(ε):某一電介質(zhì)(如硅酸鹽、高分子材料)組成的電容器在一定電壓作用下所得到的電容量Cx與同樣大小的介質(zhì)為真空的電容器的電容量Co之比值,被稱為該電介質(zhì)材料的相對介電常數(shù)。
Cx —電容器兩極板充滿介質(zhì)時的電容;
Cο —電容器兩極板為真空時的電容;
ε —電容量增加的倍數(shù),即相對介電常數(shù)
介電常數(shù)的大小表示該介質(zhì)中空間電荷互相作用減弱的程度。作為高頻絕緣材料,ε要小,特別是用于高壓絕緣時。在制造高電容器時,則要求ε要大,特別是小型電容器。
在絕緣技術(shù)中,特別是選擇絕緣材料或介質(zhì)貯能材料時,都需要考慮電介質(zhì)的介電常數(shù)。此外,由于介電常數(shù)取決于極化,而極化又取決于電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和分子運動的形式。所以,通過介電常數(shù)隨電場強度、頻率和溫度變化規(guī)律的研究,還可以推斷絕緣材料的分子結(jié)構(gòu)。
2.介電損耗(tgδ):指電介質(zhì)材料在外電場作用下發(fā)熱而損耗的那部分能量。在直流電場作用下,介質(zhì)沒有周期性損耗,基本上是穩(wěn)態(tài)電流造成的損耗;在交流電場作用下,介質(zhì)損耗除了穩(wěn)態(tài)電流損耗外,還有各種交流損耗。由于電場的頻繁轉(zhuǎn)向,電介質(zhì)中的損耗要比直流電場作用時大許多(有時達到幾千倍),因此介質(zhì)損耗通常是指交流損耗。
在工程中,常將介電損耗用介質(zhì)損耗角正切tgδ來表示。tgδ是絕緣體的無效消耗的能量對有效輸入的比例,它表示材料在一周期內(nèi)熱功率損耗與貯存之比,是衡量材料損耗程度的物理量。
ω —電源角頻率;
R —并聯(lián)等效交流電阻;
C —并聯(lián)等效交流電容器
凡是體積電阻率小的,其介電損耗就大。介質(zhì)損耗對于用在高壓裝置、高頻設(shè)備,特別是用在高壓、高頻等地方的材料和器件具有特別重要的意義,介質(zhì)損耗過大,不僅降低整機的性能,甚至?xí)斐山^緣材料的熱擊穿。
3、Q值:tgδ的倒數(shù)稱為品質(zhì)因素,或稱Q值。Q值大,介電損失小,說明品質(zhì)好。所以在選用電介質(zhì)前,必須首先測定它們的ε和tgδ。而這兩者的測定是分不開的。
通常測量材料介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切的方法有二種:交流電橋法和Q表測量法,其中Q表測量法在測量時由于操作與計算比較簡便而廣泛采用。本實驗主要采用的是Q表測量法。
4、陶瓷介質(zhì)損耗角正切及介電常數(shù)測試儀:它由穩(wěn)壓電源、高頻信號發(fā)生器、定位電壓表CBl、Q值電壓表CB2、寬頻低阻分壓器以及標(biāo)準(zhǔn)可調(diào)電容器等組成(圖2)。工作原理如下:高頻信導(dǎo)發(fā)生器的輸出信號,通過低阻抗耦合線圈將信號饋送至寬頻低阻抗分壓器。輸出信號幅度的調(diào)節(jié)是通過控制振蕩器的簾柵極電壓來實現(xiàn)。當(dāng)調(diào)節(jié)定位電壓表CBl指在定位線上時,Ri兩端得到約l0mV的電壓(Vi)。當(dāng)Vi調(diào)節(jié)在一定數(shù)值(10mV)后,可以使測量Vc的電壓表CB2直接以Q值刻度,即可直接的讀出Q值,而不必計算。另外,電路中采用寬頻低阻分壓器的原因是:如果直接測量Vi必須增加大量電子組件才能測量出高頻低電壓信號,成本較高。若使用寬頻低阻分壓器后則可用普通電壓表達到同樣的目的。
三、實驗儀器及設(shè)備
1、儀器設(shè)備:
(1) Q表測試儀、電感箱、樣品夾具等;
(2) 千分游標(biāo)卡尺;
2、樣品要求:圓形片:厚度2±0.5mm,直徑為Φ38±1mm。
四、實驗步驟
1、本儀器適用于110V/220V,50Hz交流電,使用前要檢查電壓情況,以保證測試條件的穩(wěn)定。
2、開機預(yù)熱15分鐘,使儀器恢復(fù)正常狀態(tài)后才能開始測試。
3、按部件標(biāo)準(zhǔn)制備好的測試樣品,兩面用特種鉛筆或?qū)щ娿y漿涂覆,使樣品兩面都各自導(dǎo)電,但南面之間不能導(dǎo)通,備用。
4、選擇適當(dāng)?shù)妮o助線圈插入電感接線柱。根據(jù)需要選擇振蕩器頻率,調(diào)節(jié)測試電路電容器使電路諧振。假定諧振時電容為C1,品質(zhì)因素為Q1。
5、將被測樣品接在Cx接線柱上。
6、再調(diào)節(jié)測試電路電容器使電路諧振,這時電容為C2,可以直接讀出Q2。
7、用游標(biāo)卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d(分別在不同位置測得兩個數(shù)據(jù),再取其平均值)。
五、結(jié)果處理
1、ε和tgδ測定記錄:
實驗數(shù)據(jù)按表要求填寫。
序 號 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |
試樣厚度 | ||||||
試樣直徑 | ||||||
測試數(shù)據(jù) | C1 | |||||
C2 | ||||||
Q1 | ||||||
Q2 | ||||||
計算結(jié)果 | ε | |||||
tgδ | ||||||
平均值 | ε = tgδ= |
2、計算:
根據(jù)表格中測得的數(shù)據(jù),按公式(1)、(2)分別計算各個數(shù)值。
六、注意事項
(1) 電壓或頻率的劇烈波動常使電橋不能達到良好的平衡,所以測定時,電壓和頻率要求穩(wěn)定,電壓變動不得大于1%,頻率變動不得大于0.5%。
(2) 電極與試樣的接觸情況,對tgδ的測試結(jié)果有很大影響,因此涂銀導(dǎo)電層電極要求接觸良好、均勻,而厚度合適。
(3) 試樣吸濕后,測得的tgδ值增大,影響測量精度,應(yīng)當(dāng)嚴格避免試樣吸潮。
(4) 在測量過程中,注意隨時電橋本體屏蔽的情況,當(dāng)電橋真正達到平衡,“本體-屏蔽"開關(guān)置于任何一邊時,檢查計光帶均應(yīng)最小,而無大變化。
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)