介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)儀（介電常數(shù)測(cè)試儀）—介質(zhì)損耗因數(shù)的物理意義

絕緣介質(zhì)在交流電壓作用下會(huì)在絕緣介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生損耗，這些損耗包括絕緣介質(zhì)極化產(chǎn)生的 損耗、絕緣介質(zhì)沿面爬電產(chǎn)生的損耗和絕緣介質(zhì)內(nèi)部局部放電產(chǎn)生的損耗等。由于絕緣介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生了損耗，所以造成施加在絕緣介質(zhì)上的交流電壓與電流之間的功率因數(shù)角不再是90°。我們把功率因數(shù)角的余角稱為介質(zhì)損失角，并用介質(zhì)損耗因數(shù)(tanδ)來(lái)表示絕緣系統(tǒng)電容的介質(zhì)損耗特性。

介質(zhì)損耗因數(shù)(tanδ)的表示方法

由圖5-7等效電路圖和相量圖可知，絕緣介質(zhì)中的損耗可表示為W=UIcos＝UI_R＝UI_Ctanδ， 所以 tanδ=I_R/I_C。為了便于比較，通常取tanδ=I_R/I_C×100%，即用tanδ來(lái)表示相對(duì)的介質(zhì)損耗因數(shù)的大小。這樣可以消除絕緣介質(zhì)幾何尺寸差異造成的影響，便于比較和判定不同結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的絕緣性能。

     介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)儀（介電常數(shù)測(cè)試儀）實(shí)驗(yàn)步驟：

1、按照Q表的操作規(guī)程調(diào)整儀器，選定測(cè)量頻率，測(cè)定C1和Q1的值。
2、將試樣放入測(cè)試電極中，并調(diào)節(jié)電容器C，使電路諧振，達(dá)到最大Q值記下調(diào)諧電容量C2和Q2的值。
3、將試樣從測(cè)試電極中取出，調(diào)節(jié)C或測(cè)試電極的距離，使電路重新諧振，記下C、或測(cè)試電極的校正電容值與Q值，北京智德創(chuàng)新檢測(cè)儀器并根據(jù)測(cè)試值計(jì)算出損耗角tanδ與介電常數(shù)ε。
4、其他高頻測(cè)試儀器按其說(shuō)明書(shū)進(jìn)行操作，北京智德創(chuàng)新檢測(cè)儀器通過(guò)測(cè)試值計(jì)算出損耗角tanδ和介電常數(shù)ε。

產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。
2、雙測(cè)試要素輸入 - 北京智德創(chuàng)新檢測(cè)儀器測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。
3、雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。
4、自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。
5、全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。
6、DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。
7、計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路優(yōu)化—使測(cè)試回路 殘余電感減至低值，che底gen除 Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。
8、新增功能：電感測(cè)試時(shí)，儀器自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能。大大提高了在電感值（特別是小電感值）測(cè)量時(shí)的精度。此技術(shù)只有北京智德創(chuàng)新儀器生產(chǎn)的Q表有。
9、新增功能：大電容值直接測(cè)量顯示功能，電容值直接測(cè)量值可達(dá)25nF（配100uH電感時(shí)）。大電容值測(cè)量一個(gè)按鍵搞定。此技術(shù)只有北京智德創(chuàng)新檢測(cè)儀器生產(chǎn)的Q表有。