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日本DNK科研曝光機(jī)MA-4301M光刻機(jī)

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更新時(shí)間：2023-07-23 13:44:12瀏覽次數(shù)：267次

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產(chǎn)品分類 品牌分類

  SIBATA柴田

分析機(jī)器
  OTSUKA大冢電子

量子點(diǎn)評(píng)系統(tǒng)

膜厚儀

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分光光度計(jì)

分析儀器
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磁鐵工具

支架
  大冢電子
  SAKURAI櫻井

檢查設(shè)備/多任務(wù)機(jī)/周邊設(shè)備
  NEWKON新光

試驗(yàn)機(jī)
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篩分機(jī)器/監(jiān)種

密度計(jì)
  SOMA相馬
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  kotohira琴平工業(yè)

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鞋底清潔裝置
  Marktec碼科泰克。

熒光滲透探傷儀
  marktec碼科泰克

UV探傷儀

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磁粉探測(cè)器
  Tokyokoden東京光電

火焰光度計(jì)
  TSUBOSAKA壺坂

照度計(jì) 光量計(jì)
  DNK科研

光刻機(jī) 曝光機(jī)
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曝光機(jī)
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空氣罐

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

簡(jiǎn)單介紹：主要特長(zhǎng)利用本公司開(kāi)創(chuàng)的高速圖像處理技術(shù), 實(shí)現(xiàn)了Wafer與掩膜的高精度對(duì)位。裝載機(jī)側(cè)和卸載機(jī)側(cè)*多可設(shè)置兩個(gè)籃具（選購(gòu)項(xiàng)）。備有冷卻機(jī)構(gòu)，可進(jìn)行基板臺(tái)與掩膜的溫度管理（選購(gòu)項(xiàng)）。搭載本公司開(kāi)創(chuàng)的鏡面光學(xué)系統(tǒng)爆光燈房（LAMP HOUSE）。從而實(shí)現(xiàn)了照射面內(nèi)的均勻性以及高照度。搭載非接觸預(yù)對(duì)位系統(tǒng)（PREALIGNER）。從而實(shí)現(xiàn)了高精度進(jìn)給且保證基板不受任何損傷。搭載有自動(dòng)掩膜更換機(jī)。并可支持掩膜存放庫(kù)。

詳細(xì)介紹

詳情介紹：

光刻機(jī)介紹

曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″

光源超高壓水銀燈：500W or 1kW

曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm

光源超高壓水銀燈：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″

光源超高壓汞燈：500W 或 1kW

?200mm/?150 mm 對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃， 對(duì)齊精度自動(dòng)對(duì)齊：+/- 1 μm（
峰值搜索）

?300mm對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈：3.5kW ?200mm規(guī)格也可對(duì)應(yīng)

マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區(qū)域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要規(guī)格

		MA-4301M
Wafer尺寸	材料	Si,Glass
	尺寸	Φ6″ x t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm
	尺寸	Φ8″ x t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm
節(jié)拍時(shí)間		Proximity exposure：19 s/wafer (One parallelism compensation per lot)
對(duì)位精度		自動(dòng)對(duì)位：+/- 1 μm (Peak search)
間隙		1 to 200 μm Servo motor Setup resolution：1 μm
曝光方式		Soft contact exposure Hard contact exposure Proximity exposure
尺寸?重量		本體尺寸：W 1800 x D 1650 x H 2015 mm 總重量(including lamp house)：1400 kg