目錄:北京北廣精儀儀器設備有限公司>>介電常數介質損耗因數測試儀>>玻璃介電常數測試儀>> GDAT-AGB1409介電常數測試儀
GB1409介電常數測試儀高頻Q表能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯及串聯電阻,傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關、學校、工廠等單位。
LKI-1電感組:
線圈號 測試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz,50MHz 233,211 0.9 0.125μH
技術參數:
1.Q值測量
a.Q值測量范圍:2~1023。
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
c.標稱誤差
頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):
固有誤差:≤5%±滿度值的2% 固有誤差:≤6%±滿度值的2%
工作誤差:≤7%±滿度值的2% 工作誤差:≤8%±滿度值的2%
2.電感測量范圍:4.5nH~7.9mH
3.電容測量:1~205
主電容調節范圍:18~220pF
準確度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%
注:大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明
4. 信號源頻率覆蓋范圍
頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,
CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,
5.Q合格指示預置功能: 預置范圍:5~1000。
6.B-測試儀正常工作條件
a. 環境溫度:0℃~+40℃;
b.相對濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
7.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
GB1409介電常數測試儀電介質的用途
電介質一般被用在兩個不同的方面:
用作電氣回路元件的支撐,并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣;
用作電容器介質
溫度
損耗指數在一個頻率下可以出現一個 大值,這個頻率值與電介質材料的溫度有關。介質損耗因數和電容率的溫度系數可以是正的或負的,這取決于在測量溫度下的介質損耗指數 大值位置。
電場強度
存在界面極化時,自由離子的數目隨電場強度增大而增加,其損耗指數 大值的大小和位置也隨此而變。
在較高的頻率下,只要電介質中不出現局部放電,電容率和介質損耗因數與電場強度無關.
陶瓷材料的損耗
陶瓷材料的介質損耗主要來源于電導損耗、松弛質點的極化損耗和結構損耗。此外,表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導也會引起較大的損耗。
在結構緊密的陶瓷中,介質損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能,往往在配方中引人此易熔物質(如黏土),形成玻璃相,這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大,介質損耗也增大。因面一般高頻瓷,如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數電陶瓷的離子松弛極化損耗較大,主要的原因是:主晶相結構松散,生成了缺固濟體、多品型轉變等。
漏導損耗
實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質,在外電場的作用下,總有一些帶電粒子會發生移動而引起微弱的電流,這種微小電流稱為漏導電流,漏導電流流經介質時使介質發熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質損耗稱為“漏導損耗”。由于實阿的電介質總存在一些缺陷,或多或少存在一些帶電粒子或空位,因此介質不論在直流電場或交變電場作用下都會發生漏導損耗。
介質損耗:絕緣材料在電場作用下,由于介質電導和介質極化的滯后效應,在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失,簡稱介損。在交變電場作用下,電介質內流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數角Φ)的余角δ稱為介質損耗角。
損耗因子也指耗損正切,是交流電被轉化為熱能的介電損耗(耗散的能量)的量度,一般情況下都期望耗損因子低些好 。
電介質在恒定電場作用下,介質損耗的功率為
W=U2/R=(Ed)2S/ρd=σE2Sd
定義單位體積的介質損耗為介質損耗率為
ω=σE2
在交變電場作用下,電位移D與電場強度E均變為復數矢量,此時介電常數也變成復數,其虛部就表示了電介質中能量損耗的大小。
D,E,J之間的相位關系圖
D,E,J之間的相位關系圖
如圖所示,從電路觀點來看,電介質中的電流密度為
J=dD/dt=d(εE)/dt=Jτ+iJe
式中Jτ與E同相位。稱為有功電流密度,導致能量損耗;Je,相比較E超前90°,稱為無功電流密度。
定義
tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ
式中,δ稱為損耗角,tanδ稱為損耗角正切值。
損耗角正切表示為獲得給定的存儲電荷要消耗的能量的大小,是電介質作為絕緣材料使用時的重要評價參數。為了減少介質損耗,希望材料具有較小的介電常數和更小的損耗角正切。損耗因素的倒數Q=(tanδ)-1在高頻絕緣應用條件下稱為電介質的品質因素,希望它的值要高。
主要特點:
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。
印電路板主要由玻纖與環氧樹脂組成的, 玻纖介電常數為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。