IR推出大罐式DirectFET MOSFET系列

　　摘要：日前，整流器公司（簡稱IR）推出大罐式DirectFETMOSFET系列，適用于要求極低導通電阻(RDS(on))的工業應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動態ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關應用。
　　
　　全新7mmx9mmx0.7mm大罐式封裝器件提供的導通電阻性能，從而實現較低的導通損耗和更理想的系統效率。這款大罐式產品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備雙面散熱功能，可提供*傳熱性能，提升功率密度。由于提供*的裸片對占位面積比，DirectFET可有效縮減電路板尺寸。新器件還具備0.7mm的超薄厚度，為受空間限制的高功率工業電源設計提供理想的解決方案。
　　
　　與DirectFET系列的其它器件一樣，全新的工業用大罐式封裝器件提供能改善可靠性的無鍵合線設計。DirectFET封裝符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)的所有要求，例如提供*不含鉛的物料清單，因此非常適合長生命周期的設計。而其它同類型的高性能封裝則包含采用含鉛的裸片貼裝，雖然符合電子產品有害物質管制規定第7(a)項豁免條款，但這項豁免將于2016年到期。
　　
　　IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“DirectFET系列新增大罐式封裝器件后，繼續業界成為市場上zui可靠、zui高性能的MOSFET封裝產品之一。全新大罐式DirectFET系列的占位面積比D2PAK等傳統的大型塑料表面貼裝功率封裝顯著減小，而且增加了上方散熱性能，因而非常適合空間受限的長壽命工業電源設計。”