英飛凌可控逆導型IGBT芯片

　　英飛凌科技股份公司發布一款采用可控逆導型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和續流二極管的6.5kV功率模塊。新發布的這款RCDC(二極管可控逆導型IGBT)IGBT芯片，非常適合現代高速列車和高性能電力機車，以及未來的HVDC輸電系統和傳動裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊，采用RCDCIGBT的模塊電流密度提高了33%，散熱性能也有所增強。因此，它可以延長產品工作壽命并提高可靠性，進而zui大限度降低系統維護工作量。
　　
　　通過推出RCDCIGBT芯片，英飛凌進一步壯大其高性能6.5kVKE3IGBT產品的系列。該芯片的電流密度之所以能夠得以提高，是因為它的正向和反向電流的有效硅面積都增加了，因而設計人員可以靈活提高系統輸出功率，而無需以加大外形尺寸為代價。或者，利用其更高功率密度的優點，可以在保持功率不變的情況下減少IGBT并聯數量，從而減小系統尺寸、減輕產品重量，并降低成本。
　　
　　英飛凌的RCDCIGBT，采用行業標準尺寸IHVA高絕緣封裝，可輕松進行替換現有產品。除有助于提高功率密度外，IGBT和二極管的單片集成還可大幅改善二極管I2T值，以及IGBT和二極管熱阻(Rth/Zth)。低熱阻確保器件在整個工作溫度范圍內實現良好的散熱性能。更低實際結溫(Tvj)紋波，使器件有更長使用壽命，當使用二極管柵極控制時，可讓設計人員通過權衡導通損耗和開關損耗來優化總體效率。