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vaisala半導體折光儀 PR-33-S探頭
緊湊型折光儀，采用超純改性PTFE流通池主體，適用于半導體液體化學過程。通過 1/4 — 1 英寸的立柱或擴口接頭連接
到工藝。
vaisala K-PATENTS® 半導體折光儀 PR-33-S 可監測潔凈室環境和集成工藝工具（混合、清潔、蝕刻和 CMP）中晶
圓廠化學品的濃度。
設計
PR-33-S 由一個超純的改性 PTFE 流通池主體和一根以太網電纜組成，任何標準 PoE（以太網供電）交換機都可以使用
該電纜將電力傳輸到傳感器并將數據傳輸到計算機。PR-33-S 實時監測化學品濃度，并在化學品超出規格時提供以太網
輸出信號和即時反饋。例如，可以配置低濃度和高濃度警報來控制和延長浴槽壽命。濃度是通過對溶液的折射率nD和
溫度進行光學測量來確定的。
PR-33-S 直接與喇叭口或支柱配件在線安裝。PR-33-S 結構緊湊，不含金屬，占用空間很小。
關鍵要素
N.I.S.T. 可溯源校準，使用標準 RI 液體進行驗證，并經過驗證的程序。
獲得CORE光學器件（美國號）US6067151）。
通過以太網的遠程面板，用于數據記錄和遠程操作。
通信由標準 UDP/IP 協議構建。
過程溫度范圍：-20°C – 85°C （-4°F – 185°F）。
通過內置 Pt1000 和自動數字溫度補償實現快速過程溫度測量。
主要優勢
全數字化設備
vaisala K-PATENTS® 半導體折光儀 PR-33-S 用于過程控制和監測，并提供連續的以太網輸出信號。設計緊湊，
設備直接在線安裝。
在整個范圍內進行準確穩定的測量
折射率 nD 1.3200–1.5300 的全測量范圍，相當于 0-100% 重量。可選范圍 nD 1.2600–1.4700 用于強 HF。
典型精度 R.I.+ 0.0002，通常相當于 0.1%（重量），例如水中的 HCl。
測量不受 PPM 范圍內的顆粒、氣泡、湍流或雜質的影響。
易于維護
無漂移。無需重新校準。無需機械調整。
技術數據
折射率范圍 1.3200...1.5300
準確度 ± 0.1%
響應時間 1s
工藝溫度 -20°C (-4°F)...85°C (185°F)
環境溫度：-20°C (-4°F)...45°C (113°F)
保護等級 IP67
重量 1.2 kg
消耗功率 1W
vaisala半導體折光儀 PR-33-S探頭
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