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上海濟物光電技術有限公司
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近紅外單光子探測器InP基雪崩光電二極管工作偏置電壓高于擊穿電壓時（蓋格模式），單光子入射到探測器上會產生宏觀電流脈沖
近紅外單光子探測器
InP 基雪崩光電二極管工作偏置電壓高于擊穿電壓時（蓋格模式），單光子入射到探測器上會產生宏觀電流脈沖。結合適當的脈沖檢測電路，該器件可檢測波長范圍為 0.9μm 至 1.2μm 的單光子。
應用
| 參數 | 最小值 | 典型值 | 值 | 參數 |
| 擊穿電壓 Vb Breakdown Voltage | 50 | 55/75 | 80 | 擊穿電壓 Vb Breakdown Voltage |
| 溫度系數 Temp. dependence of Vb | 0.12 | 溫度系數 Temp. dependence of Vb | ||
| 探測效率 Detection Efficiency | 20 | 30 | 50 | 探測效率 Detection Efficiency |
| 暗計數率 Dark Count Rate | 1 | 5 | 30 | 暗計數率 Dark Count Rate |
| 光敏面直徑 Effective Optical | 60/80/100 | 光敏面直徑 Effective Optical | ||
| 封裝方式 Encapsulation | TEC/TO 管殼 | 多模光纖 TO 管殼 | 封裝方式 Encapsulation | |
| 型號 Model | SGA-1064-60/-80/-100 | SGA-F-1064 | 型號 Model | |
機械規格(MECHANISM SPECIFICATIONS)
| 引腳標號 | 功能描述 |
| 1 | 制冷器（+） |
| 2 | 空 |
| 3 | 空 |
| 4 | 空 |
| 5 | 熱敏電阻 |
| 6 |
|
| 7 | 器件（n） |
| 8 | 器件（p） |
| 9 | 制冷器（-） |
| 備注：此表格對應的類型是單元器件 | |
產品管理(PRODUCT HANDLING)
單位：mm
雪崩光電二極管（APDs）對靜電放電（ESD）很敏感，在處理這些器件是一定要注意防靜電措施，在使用時帶上靜電手環等保護設備，防止器件的損壞。
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