SiC功率半導體器件測試系統 返回列表頁

普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對SiC功率半導體器件測試系統感興趣，歡迎隨時聯系我們

普賽斯功率器件測試設備特點和優勢：
 
單臺Z大3500V輸出；
 
單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大6000A；
 
15us的超快電流上升沿；
 
同步測量；
 
國標全指標的自動化測試；

測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
 
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
 
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
 
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容           

續流二極管壓降Vf
 
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
 

更多有關SiC功率半導體器件測試系統的信息歡迎隨時聯系我們，武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發、生產與銷售的研發型高新技術企業。公司以源表為核心產品，專注于第三代半導體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。

未來，普賽斯儀表基于國產化高精度數字源表（SMU）的測試方案，以更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力，聯合更多行業客戶，共同助力我國第三代半導體行業高可靠高質量發展。