大功率分立器件半自動測試儀 返回列表頁

半導體分立器件特性參數測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數分析的最佳工具之一是大功率分立器件半自動測試儀，普賽斯分立器件靜態測試系統集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參數，電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，皮安級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態參數測試系統采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。

系統特點和優勢：
 
單臺Z大3500V輸出；
 
單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大6000A；
 
15us的超快電流上升沿；
 
同步測量；
 
國標全指標的自動化測試；

系統指標

測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
 
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
 
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
 
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容                      

續流二極管壓降Vf
 
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
 

普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯大功率分立器件半自動測試儀感興趣，歡迎隨時聯系我們