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上海濟物光電技術有限公司
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InGaAs面陣探測器
應用領域：短波紅外成像、高光譜成像、夜視成像、激光探測、環保監測、工業成像、醫學成像
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| Tu-Ⅰ型 | Tu-Ⅱ型 | Hu-Ⅰ型 | |
| 性能參數 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | |
| 探測器 | ||||
| 探測器類型 | InGaAs | InGaAs | InGaAs | |
| 探測器規模 | 320×256 | 320×256 | 640×512 | |
| 像元尺寸 | 30μm×30μm | 30μm×30μm | 25μm×25μm | |
| 像元中心距 | 30 µm | 30 µm | 25µm | |
| 光譜響應波段 | 0.9 ~ 1.7 μm | 0.9~1.7 μm | 0.9~1.7μm | |
| 峰值探測率 | ≥5×1012cm·Hz1/2/W | ≥5×1012cm·Hz1/2/W | ≥5×1012cm·Hz1/2/W | |
| 峰值量子效率 | ≥80％@1.55μm | ≥80％@1.55μm | ≥80％@1.55μm | |
| 響應非均勻性 | ≤2% | ≤2% | ≤3% | |
| 暗電流 |
| ≤5fA @5℃，-5mV | ≤5fA @5℃，-5mV | |
| 盲元率 | ≤0.1% | ≤0.1% | ≤1% | |
| 增益 | 兩檔可調（0.7μV/e、13μV/e） |
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| 像元讀出速率 | 10MHz |
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| 功耗 |
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| ≤100mW | |
| 動態范圍 | ≥60 dB | ≥60 dB | ≥60dB | |
| 溫度傳感輸出 | 支持 |
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| 封裝 | ||||
| 外形尺寸 | 55 mm (L)×33 mm (W)×13 mm (H) | 25 mm (L)×20 mm (W)×7.2 mm (H) | 55 mm (L)×33 mm (W)×13 mm (H) | |
| 封裝形式 | 金屬管殼氣密封裝 | 金屬管殼氣密封裝 | 內部集成熱電制冷器、金屬管殼氣密封裝 | |
| 制冷器 | 內部集成熱電制冷器 | 內部集成熱電制冷器 |
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| 窗口 | 藍寶石（20.0mm´13.0mm） | 藍寶石（11.1mm´9.3mm） |
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| 引腳數 | 38 | 38 |
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| 工作溫度 | -20 ~ +60 ℃ | -20 ~ +60 ℃ | -20 ~ +60℃ | |
| 儲存溫度 | -40~ +70 ℃ | -40~ +70 ℃ | -40~ +70℃ | |
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Tu-Ⅰ型320×256元InGaAs面陣探測器 |
Tu-Ⅱ型320×256元InGaAs面陣探測器 |
Hu-Ⅰ型640×512元InGaAs面陣探測器 | |
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