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上海濟物光電技術有限公司
暫無信息 |
InGaAs單元探測器
| NIR-I型 | NIR-II型 | SWIR-I型 | |||
特性參數 | 典型值 | 備注 | 典型值 | 備注 | 典型值 | 備注 |
光敏面 直徑 | 1mm | 可訂制 | 1mm | 可訂制 | 1mm | 可訂制 |
規模 | 單元 |
| 單元 |
| 單元 |
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工作溫度 | -20 ~ +60 ℃ |
| -20 ~ +60 ℃ |
| -20 ~ +60 ℃ |
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儲存溫度 | -55 ~ +70 ℃ |
| -55 ~ +70 ℃ |
| -55 ~ +70 ℃ |
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波段 | 0.9~1.7 μm |
| 0.9~1.7 μm |
| 1.0~2.5μm |
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峰值波長 | 1.55μm |
| 1.55μm |
| 2.2 μm |
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峰值量子 效率 | ≥90% | 室溫 | ≥90% | 室溫 | ≥70% | -20℃ |
峰值 響應率 | ≥1.1 A/W | 室溫 | ≥1.1 A/W | 室溫 | ≥1.1 A/W | -20℃ |
器件阻抗 | 1.5×109Ω | 室溫 | 1.5×109Ω | 室溫 | 2.5×105Ω | -20℃ |
暗電流 | ≤8×10-12A | @-0.1V,室溫 | ≤8×10-12A | @-0.1V,室溫 | ≤4×10-7A | @-0.01V,-20℃ |
等效噪 聲功率 | ≤3×10-14 W/Hz1/2 | @1.55μm,室溫 | ≤3×10-14 W/Hz1/2 | @1.55μm,室溫 | ≤4.5×10-13 W/Hz1/2 | @2.2μm,-20℃ |
峰值 探測率 | ≥3×1012cm·Hz1/2/W | 室溫 | ≥3×1012cm·Hz1/2/W | 室溫 | ≥2×1011cm·Hz1/2/W | -20℃ |
封裝形式 | TO管殼 | 可訂制 | 內部集成熱電制冷器、TO-9管殼 | 可訂制 | 內部集成熱電制冷器、TO-9管殼 | 可訂制 |
應用領域 | 定標、激光控制、光功率計等 | 光譜探測與分析、氣體分析、水含量分析等 | 光譜探測與分析、氣體分析、水含量分析等 | |||
產品特點 | 正照射結構、低噪聲、低暗電流、大光敏區 | 正照射結構、靈敏度高、響應時間快、內部集成二級熱電制冷器 | 正照射結構、靈敏度高、響應時間快、內部集成二級熱電制冷器 | |||
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